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其它仪器/仪表信息
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氧探头如何检测传感器识别
随着我国日益增长的汽车需求,我国汽车产业得到了迅速的发展。在市场不断扩大的同时,广大车主和汽车生产厂商对各个汽车零部件的技术、安全性能要求也不断提高。轮胎因其支承车身,缓冲外界冲击,实现与路面接触并保证车辆行驶性能的特殊性,以及轮胎常在复杂和苛刻的条件下面议2024-03-30
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晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪
晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪优势: IV、CV一键测;一体机,支持远程指令控制;支持三同轴接探针台 能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试;详询一八一四零六六三四七六; 产品特点: 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力; 测量精度高,全量程下可其它面议2024-09-24 -
半导体性能检测设备iv曲线测试仪
实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表(SMU)。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品,集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表,还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其其它面议2024-09-24 -
霍尔传感器响应时间测试大电流源15us超快上升沿
HCPL100霍尔传感器响应时间测试大电流源特点和优势: 50~500us的脉冲宽度连续可调; 15us的超快上升沿; 同步测量电压; 单台最大可达1000A输出; 可极性反转; 0.1%测试精度;详询一八一四零六六三四七六 应用领域 肖特基二极管 整流其它面议2024-09-24 -
半导体器件功率分析仪
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和其它面议2024-09-24 -
半导体电学参数测试设备iv+cv曲线扫描仪
半导体电学参数测试设备iv+cv曲线扫描仪特点: 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力; 测量精度高,全量程下可达0.03%精度; 内置标准器件测试程序,直接调用测试简便; 自动实时参数提取,数据绘图、分析函数; 在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布其它面议2024-09-24 -
电化学实验循环伏安测试仪
电化学电池的三个电极是工作电极 (WE)、基准电极 (RE) 和反(或辅助)电极 (CE)。WE 和 CE 之间使用双极性可编程电源进行电压扫描。RE与 WE 之间的电位E使用数字电压表测量,然后调节双极性可编程电源输出电压VS,使E为希望的电位值,这时使用万用表测量流入WE的电流I。之后其它面议2024-09-24 -
功率半导体参数测试仪3500V/1000A
普赛斯PMST功率半导体参数测试仪3500V/1000A,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设其它面议2024-09-24 -
霍尔传感器测试系统霍尔延时响应测试设备
霍尔传感器测试系统霍尔延时响应测试设备简介 电流传感器测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量各种电流传感器(霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等)的静态与动态参数,单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数,具有大其它面议2024-09-24 -
高压+半导体静态参数测试仪
高压+半导体静态参数测试仪特点 高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV); 大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联); 高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试; 丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数; 配置导出:支持一键导出其它面议2024-09-24 -
半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和其它面议2024-09-24 -
脉冲IV特性测试数字源表
PXOOB系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达30A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者其它面议2024-09-24 -
直流特性IV曲线SMU数字源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%其它面议2024-09-24 -
半导体器件参数测试仪半导体参数分析仪
SPA-6100半导体器件参数测试仪半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿其它面议2024-09-24 -
大功率分立器件测试设备静态参数分析仪
普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准其它面议2024-09-24 -
国产SMU数字源表高精密IV曲线扫描仪
国产SMU数字源表高精密IV曲线扫描仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯S系列源表标准的SCPI指令集,U秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,详询一八一四零六六三四七六 数字源表基本功能 集多种功能为一体的精密测量仪器,主要是测量电气性能 SMU可以当电源,其它面议2024-09-24 -
CV测试系统_CV测试仪_提供0V~3500V偏压范围
CV测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上,内置自动化CV测试软件,包含C-V(电容-电压),C-T(电容-时间),C-F(电容-频率)等多项测试测试功能;详其它面议2024-09-24 -
半导体器件iv曲线测试仪半导体器件测试设备
半导体分立器件泛指二极管、三极管等具有单一功能的半导体元器件,用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等电路中,是构成电力电子变化装置的核心器件之一,在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动化控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广其它面议2024-09-24 -
功率半导体测试电源高压程控电源
功率半导体测试电源高压程控电源具有输出及测量电压高(3500V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3500V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。详询18140663476最大输出功率:350W,3500其它面议2024-09-24 -
IGBT|SiC功率半导体器件测试设备
PMST系列IGBT|SiC功率半导体器件测试设备是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统,是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGB其它面议2024-09-24
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